Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL17N60M6

MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL17N60M6

STL17N60M6 Hakkında

STL17N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. PowerFlat 8x8 HV paketinde sunulan bu bileşen, 350mΩ on-state direnci (Rds On @ 6A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. 16.7nC gate charge ve 575pF input capacitance özellikleri hızlı komutasyon karakteristiğini destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, enerji dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 90W maksimum güç tüketim kapasitesi ile soğutma gereksinimleri optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok