Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL13N60M2

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL13N60M2

STL13N60M2 Hakkında

STL13N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ve 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerFlat™ (5x6) HV paket içinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 420mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. ±25V gate gerilim aralığında çalışır ve maksimum 55W güç tüketebilir. Sıcaklık toleransı 150°C'ye kadar çıkar. Endüstriyel elektronik, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Yüksek voltaj ve güç gerektiren sistemlerde verimli anahtarlama elemanı olarak önemli rol oynar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok