Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL13N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL13N60DM2

STL13N60DM2 Hakkında

STL13N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 8A sürekli drain akımı ve PowerFlat (5x6) HV paket tasarımıyla yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum Rds(on) değeri 370mΩ (4A, 10V koşullarında) olup, 52W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı 5V @ 250µA ve maksimum Vgs ±25V'tur. Surface mount montajıyla endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok