Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL12N65M5

STL12N65M5 Hakkında

STL12N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistörüdür. 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmaktadır. PowerFlat 5x6mm yüzey montajlı paketiyle kompakt tasarımlar için uygundur. 530mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±25V maksimum kapı gerilimi ile geniş çalışma koşullarına uyum sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Ürün, başlangıçta üretilmiş olup mevcut ürün satışına kapalı durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 644 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 4.25A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok