Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL11N65M2

MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
STL11N65M2

STL11N65M2 Hakkında

STL11N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim rating'i ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 7A sürekli dren akımı kapasitesi ve 670mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sunar. POWERFLAT 5X5 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sürücü devrelerinde kullanıma uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TA)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.5A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok