Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL115N10F7AG

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL115N10F7

STL115N10F7AG Hakkında

STL115N10F7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 107A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, 6mΩ maksimum on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı ile çalışır. PowerFlat (5x6) paketinde sunulan transistör, surface mount teknolojisi ile üretilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 136W güç atabilme kapasitesi bulunmaktadır. Uygulamalar arasında güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC konvertörler yer almaktadır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 107A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 53A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok