Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL10N65M2
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL10N65M2
STL10N65M2 Hakkında
STL10N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1Ω maksimum on-resistance (10V, 2.5A) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerFlat 5x6 paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 48W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. ±25V gate voltaj aralığında güvenli çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok