Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL10N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL10N60M2
STL10N60M2 Hakkında
STL10N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. PowerFlat (5x6) HV paketinde sunulan bu bileşen, 660mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 13.5 nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Yüksek voltaj uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde tercih edilir. -25V ile +25V arasında gate voltajı toleransı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok