Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STI8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STI8N65M5

STI8N65M5 Hakkında

STI8N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 7A sürekli drenaj akımı ve 600mΩ maksimum Rds(On) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kontrol devreleri, şalter kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. 650V drenaj-kaynak gerilimi ile kalın film teknolojileri gerektiren AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 70W güç saçabilir. ±25V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulamalar için uyumludur. Not: Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok