Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STI35N65M5

MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STI35N65M5

STI35N65M5 Hakkında

STI35N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 27A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 98mOhm on-resistance değeriyle güç kaybını minimize eder. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, AC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında yer bulur. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir ve 160W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 83nC olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok