Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STI30NM60N

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STI30NM60N

STI30NM60N Hakkında

STI30NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 25A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) pakajında sunulan cihaz, 130mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimlı enerji yönetimi sağlar. 91nC kapı yükü (gate charge) sayesinde hızlı komütasyon özellikleri sunar. İnverterler, güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devrelerine ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 150°C bağlantı noktası sıcaklığında çalışabilir ve 190W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. ±30V gate voltajı toleransı ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok