Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI26NM60N
STI26NM60N Hakkında
STI26NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli dren akımı kapasitesine ve 165mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 60nC gate charge ve 1800pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 140W güç dissipasyonu yeteneği ile güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolü devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. ±25V gate-source voltaj aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında işlem görebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok