Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI23NM60N
STI23NM60N Hakkında
STI23NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 19A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150W güç taşıyabilen transistör, endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüler ve anahtarlama regülatörlerde tercih edilir. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olan cihaz, 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok