Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI20N60M2-EP
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI20N60M2
STI20N60M2-EP Hakkında
STI20N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 278mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 110W güç dağıtabilir. Gate charge 21.7nC, input capacitance 787pF değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç elektronikleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 787 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 278mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok