Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI19NM65N
STI19NM65N Hakkında
STI19NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 15.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 270mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, SMPS devreler, motor kontrol ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar. Ürün statüsü obsolete olmasına rağmen, eşdeğer değiştirme parçaları mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok