Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI18NM60N
STI18NM60N Hakkında
STI18NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. I²Pak (TO-262) paketlemesi ile Through Hole montaj imkanı sunar. 285mOhm (10V, 6.5A'de) RDS(on) değeri, düşük kayıp açma direnci sağlar. Maksimum 110W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel invertör, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol ve enerji yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Cihazın obsolete statüsü olduğundan, yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 285mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok