Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI18N65M2
STI18N65M2 Hakkında
STI18N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim dayanımı ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 330mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. TO-262-3 (I²PAK) paket tipinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 110W güç disipasyonu kapasitesi ile güç yönetimi gerektiren devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok