Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI16NM50N
MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI16NM50N
STI16NM50N Hakkında
STI16NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 260mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile iletim kayıplarını sınırlar. TO-262-3 I²Pak paket türü ile through-hole montaja uygun, endüstriyel ve tüketici elektroniğinde güç anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü ve elektrik dönüştürücülerde uygulanır. Maksimum 125W güç disipasyonu kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile termal olarak dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok