Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI150N10F7
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI150N10F7
STI150N10F7 Hakkında
STI150N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 110A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 4.2mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalarına uygundur. Motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8115 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok