Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI13NM60N
STI13NM60N Hakkında
STI13NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde üretilen bu bileşen, 360mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 90W güç harcanabilir. Gaz deşarjı lambaları, enerji dönüştürücüler, indüktif yük kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V kapı sürme gerilimi ile uyumlu kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok