Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI12NM50N
STI12NM50N Hakkında
STI12NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 100W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur. 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 30nC gate yükü ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok