Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI12N65M5
STI12N65M5 Hakkında
STI12N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) kasa tipinde paketlenmiştir. 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ve 430mOhm maksimum RDS(on) direnci ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 70W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. İletilen güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve switched-mode güç kaynakları (SMPS) gibi uygulamalarda tercih edilir. Işletme sıcaklığı 150°C'ye kadar uzanır. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok