Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI11NM80
STI11NM80 Hakkında
STI11NM80, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşendir. 400mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-262-3 I²Pak paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS) ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve ±30V Vgs toleransı endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluğunu gösterir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok