Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI10NM60N
STI10NM60N Hakkında
STI10NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) konfigürasyonunda sunulan bu komponent, 550mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 19nC olup, 19nC kapasitanslı yapısıyla hızlı geçiş karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor kontrol ve enerji dönüşüm uygulamalarında tercih edilir. 70W maksimum güç tüketimiyle tasarlanan komponent, Through Hole montaj türü ile PCB'ye entegrasyonu sağlar. Komponent şu anda üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok