Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STI10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STI10N62K3
STI10N62K3 Hakkında
STI10N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen 620V N-channel MOSFET transistördür. 8.4A sürekli drain akımı ve 750mΩ maksimum RDS(on) değeriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. I²Pak (TO-262-3) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, şarj devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yer alır. 125W güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığıyla endüstriyel ve tüketim ürünlerine entegre edilebilir. Tasarımdan faydalanmak için 10V gate sürüş voltajı kullanılmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok