Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH80N10LF7-2AG
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH80N10LF7
STH80N10LF7-2AG Hakkında
STH80N10LF7-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V dren-kaynak gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. H2Pak-2 (TO-263) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok