Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH6N95K5-2
MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH6N95K5
STH6N95K5-2 Hakkında
STH6N95K5-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 950V Drain-Source gerilim dayanımına sahip bu bileşen, 6A sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. H2PAK-2 (TO-263-3) yüzey montaj paketi içinde sunulan transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreler ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.25Ω maksimum RDS(On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 110W güç taşıyabilir. Endüstriyel kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek gerilim güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok