Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH52N10LF3
STH52N10LF3-2AG Hakkında
STH52N10LF3-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 52A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, ±20V gate gerilimi aralığında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilmesi mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok