Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH410N4F7-6AG
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH410N4F7
STH410N4F7-6AG Hakkında
STH410N4F7-6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajına ve 200A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. 1.1mΩ maksimum on-state direnci ve 365W güç dissipasyonu kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. H2PAK-6 (TO-263-7) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüler, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 365W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok