Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH410N4F7-2AG
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH410N4F7
STH410N4F7-2AG Hakkında
STH410N4F7-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. 40V dren-kaynak gerilim derecesi ve 200A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.1mOhm (10V, 90A koşullarında) düşük on-direnç değeri, ısıl disipasyonu minimize eder ve verimlilik sağlar. H2PAK-2 (TO-263-3) yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar için uygun olup, -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, DC-DC convertörler ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın şekilde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 365W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok