Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH400N4F6-6

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
STH400N4F6

STH400N4F6-6 Hakkında

STH400N4F6-6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. H2PAK-6 (TO-263-7) paketinde sunulan bu komponent, motor sürücüleri, güç kaynakları, yüksek akımlu anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 300W güç saçabilen robust tasarımı vardır. 10V gate sürüş geriliminde optimal performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 404 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package H2PAK-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok