Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH3N150-2

MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH3N150

STH3N150-2 Hakkında

STH3N150-2, STMicroelectronics tarafından üretilen 1500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 9Ohm (Rds(on)) ile düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. 150°C (TJ) maksimum işletme sıcaklığında 140W güç dağıtabilir. 29.3nC gate charge ve 939pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarına imkan tanır. Yüksek gerilim güç uygulamaları, endüstriyel sürücüler, inverter devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilir ve 5V threshold voltajı ile kolay kontrol sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 939 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package H²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok