Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH360N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH360N4F6
STH360N4F6-2 Hakkında
STH360N4F6-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. H2PAK-2 (TO-263AB) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, motor kontrol, güç dönüştürme, batarya yönetimi ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında 300W güç yayılım kapasitesine sahiptir. 10V gate drive voltajında 340nC gate charge ve 4.5V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17930 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok