Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH320N4F6-6
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH320N4F6
STH320N4F6-6 Hakkında
STH320N4F6-6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. H2PAK-6 (TO-263-7) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. ±20V gate gerilim toleransı ve -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç elektronikleri uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. 300W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok