Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH315N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH315N10F7
STH315N10F7-6 Hakkında
STH315N10F7-6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.3mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. H2PAK-6 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 315W güç dissipasyonuna kadir olup -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V gate sürücü geriliminde optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 315W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok