Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH310N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
STH310N10F7

STH310N10F7-6 Hakkında

STH310N10F7-6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 180A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2.5mΩ maksimum Rds(On) değeri sayesinde düşük iletim kayıpları sağlar. H2PAK-6 (TO-263-7) yüzey montaj paketi ile yüksek güç uygulamalarında kompakt tasarım sunar. 315W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ~ 175°C geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package H2PAK-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok