Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH310N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH310N10F7

STH310N10F7-2 Hakkında

STH310N10F7-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 180A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük 2.5mOhm on-resistance değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Surface Mount H2PAK-2 (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, inverterler ve ağır akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate voltajı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ortamlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok