Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH30N65DM6-7AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH30N65DM6
STH30N65DM6-7AG Hakkında
STH30N65DM6-7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen automotive-grade N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 28A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, 115mΩ on-state direnci (Rds On @ 10A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-8 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 46nC, input kapasitesi 2000pF olup, 223W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Otomotiv endüstrisi, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 223W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok