Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH290N4F6-2AG
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH290N4F6
STH290N4F6-2AG Hakkında
STH290N4F6-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. H2PAK-2 (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç dönüştürücü, şarj devresi ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç tüketebilir. 10V drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok