Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH275N8F7
STH275N8F7-6AG Hakkında
STH275N8F7-6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajında 180A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük on-dirençine (2.1mΩ @ 90A, 10V) sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, PWM uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 315W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 193 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 315W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok