Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH275N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH275N8F7
STH275N8F7-2AG Hakkında
STH275N8F7-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.1mOhm (10V gate geriliminde, 90A'da) düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimalize eder. H2PAK-2 (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, şarj cihazlarında ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 315W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 193 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 315W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok