Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH272N6F7-6AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH272N6F7
STH272N6F7-6AG Hakkında
STH272N6F7-6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. H2PAK-6 (TO-263-7) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük 1.5mΩ On-Resistance değeri sayesinde anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 333W'a kadar güç dağıtabilir. Maksimum 170nC Gate Charge ve 11000pF Input Capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok