Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH270N8F7-2

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH270N8F7

STH270N8F7-2 Hakkında

STH270N8F7-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 180A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.1mΩ maksimum on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. H²PAK (TO-263) paket türü, kompakt tasarımlar ve yüksek ısı dağılımı gereken endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, elektrik araç batarya yönetim sistemleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 315W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package H²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok