Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH265N6F6-6AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH265N6F6
STH265N6F6-6AG Hakkında
STH265N6F6-6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 180A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.1mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde, 60A akımda) ile enerji verimliliği sağlar. H2PAK-6 (TO-263-7) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektrik devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 183nC gate yükü ve 11800pF giriş kapasitanası ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum 300W güç yayılımına kadir olup, düşük rölatif on-direnci sayesinde ısıl yönetim avantajı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok