Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH250N55F3-6

MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
STH250N55F3

STH250N55F3-6 Hakkında

STH250N55F3-6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 180A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.6mOhm düşük on-state direnci ve 300W güç dağıtım kapasitesi ile güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilmesi geniş kullanım alanı sağlar. Diyot balast içeren yapısı ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile inverter, şarj cihazları ve DC/DC konvertörlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package H²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok