Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH210N75F6

STH210N75F6-2 Hakkında

STH210N75F6-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 2.8mOhm olan düşük Rds(on) değeri enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 300W güç disipasyonu kapasitesine sahip olan STH210N75F6-2, yüksek akım ve gerilim gerektiren ağır yük uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok