Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH200N10WF7-2
N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH200N10WF7
STH200N10WF7-2 Hakkında
STH200N10WF7-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak voltajı (Vdss) ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 4mΩ tipik Rds(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılan transistördür. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 340W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok