Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH185N10F3-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH185N10F3
STH185N10F3-6 Hakkında
STH185N10F3-6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. H2PAK-6 (TO-263-7) yüzey montajlı paketi sayesinde kompakt tasarımlara uyum gösterir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortam koşullarına dayanıklıdır. Ürün mevcut durumda Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6665 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 315W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2PAK-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok