Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH185N10F3-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH185N10F3
STH185N10F3-2 Hakkında
STH185N10F3-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 180A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. H2PAK-2 (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım gerektiren DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 315W güç tüketebilir. ±20V gate gerilim aralığında güvenli şekilde çalışır. Endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6665 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 315W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok