Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH180N10F3-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH180N10F3
STH180N10F3-2 Hakkında
STH180N10F3-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (H2PAK-2) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 315W maksimum güç tüketimi ile verimliliğin önemli olduğu devrelerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6665 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 315W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok